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北京晶邁中科材料技術(shù)有限公司

靶材,金屬靶材,陶瓷靶材,化合物靶材,合金靶材

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硅化鉬靶材MoSi2磁控濺射靶材

產(chǎn)品價(jià)格1000.00元/片

產(chǎn)品品牌晶邁中科

最小起訂≥1 片

供貨總量10 片

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更新日期2020-08-11 18:02

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商品信息

基本參數(shù)

品牌:

晶邁中科

所在地:

北京

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10 片

有效期至:

長(zhǎng)期有效
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科研實(shí)驗(yàn)專用硅化鉬靶材MoSi2磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

鉬的硅化物為主要成分的陶瓷。硅-鉬系統(tǒng)存在硅化三鉬、三硅化五鉬和二硅化鉬,主要為二硅化鉬(MoSi2)。硅化鉬陶瓷為灰色、有金屬光澤的晶體,具有優(yōu)良的高溫抗氧化性能。
       產(chǎn)品參數(shù)
      中文名二硅化鉬   化學(xué)式MoSi2
      分子量154.13     熔點(diǎn)2030℃
      密度6.24g/cm3
支持靶材定制,請(qǐng)?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例(重量比或原子比)、規(guī)格,我們會(huì)盡快為您報(bào)價(jià)!! 
服務(wù)項(xiàng)目:靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款,質(zhì)量保證,售后無(wú)憂!
產(chǎn)品附件:發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝
適用儀器:多種型號(hào)磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 
質(zhì)量控制:嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝,采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測(cè)手段,分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度;可提供質(zhì)檢報(bào)告。 
加工流程:熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測(cè)→包裝出庫(kù)
        陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差,連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間濺射易發(fā)生靶裂情況,綁定背靶后,可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能,提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您,選購(gòu)陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶!
       我公司采用高純銦作為焊料,銦焊厚度約為0.2mm,高純無(wú)氧銅作為背靶。
       注意:高純銦的熔點(diǎn)約為156℃,靶材工作溫度超過(guò)熔點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致銦熔化!綁定背靶不影響靶材的正常使用!
       建議:陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材,高功率下濺射易碎,建議濺射功率不超過(guò)3W/cm2。

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