科研實(shí)驗(yàn)專用硅化鉬靶材MoSi2磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發(fā)料

產(chǎn)品介紹

鉬的硅化物為主要成分的陶瓷。硅-鉬系統(tǒng)存在硅化三鉬、三硅化五鉬和二硅化鉬，主要為二硅化鉬(MoSi2)。硅化鉬陶瓷為灰色、有金屬光澤的晶體，具有優(yōu)良的高溫抗氧化性能。
       產(chǎn)品參數(shù)
      中文名二硅化鉬   化學(xué)式MoSi2
      分子量154.13     熔點(diǎn)2030℃
      密度6.24g/cm3
支持靶材定制，請(qǐng)?zhí)峁┌胁漠a(chǎn)品的元素、比例（重量比或原子比）、規(guī)格，我們會(huì)盡快為您報(bào)價(jià)！！ 
服務(wù)項(xiàng)目：靶材成份比例、規(guī)格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質(zhì)量保證，售后無(wú)憂！
產(chǎn)品附件：發(fā)貨時(shí)產(chǎn)品附帶裝箱單/質(zhì)檢單/產(chǎn)品為真空包裝
適用儀器：多種型號(hào)磁控濺射、熱蒸發(fā)、電子束蒸發(fā)設(shè)備 
質(zhì)量控制：嚴(yán)格控制生產(chǎn)工藝，采用輝光放電質(zhì)譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測(cè)手段，分析雜質(zhì)元素含量保證材料的高純度與細(xì)小晶粒度；可提供質(zhì)檢報(bào)告。 
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機(jī)加工→檢測(cè)→包裝出庫(kù)
        陶瓷化合物靶材本身質(zhì)脆且導(dǎo)熱性差，連續(xù)長(zhǎng)時(shí)間濺射易發(fā)生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導(dǎo)熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強(qiáng)烈建議您，選購(gòu)陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！
       我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無(wú)氧銅作為背靶。
       注意：高純銦的熔點(diǎn)約為156℃，靶材工作溫度超過(guò)熔點(diǎn)會(huì)導(dǎo)致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！
       建議：陶瓷脆性靶材、燒結(jié)靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過(guò)3W/cm2。