科研實驗專用二氧化硅靶材SiO2磁控濺射靶材電子束鍍膜蒸發料

產品介紹

二氧化硅（SiO2）常溫下為固體，不溶于水，是酸性氧化物，不跟一般酸反應，但溶于氫氟酸及熱濃磷酸，能和熔融堿類起作用。自然界中存在有結晶二氧化硅和無定形二氧化硅兩種。結晶二氧化硅因晶體結構不同，分為石英、鱗石英和方石英三種。二氧化硅是制造玻璃、石英玻璃、水玻璃、光導纖維、電子工業的重要部件、光學儀器、工藝品和耐火材料的
原料，是科學研究的重要材料。

二氧化硅（SiO2）濺射靶可用于半導體，化學氣相沉積（CVD）和物理氣相沉積（PVD）顯示器和光學應用。
二氧化硅（SiO2）的其他形狀濺射靶材：圓盤，平板，柱子靶，臺階靶，定制
包裝：二氧化硅（SiO2）濺射靶是真空密封的。
       產品參數
中文名 二氧化硅       化學式 SiO2          熔點 1650±50℃
分子量 60.084          密度2.2 g/cm3      沸 點 2230℃
純度 99.99%
支持靶材定制，請提供靶材產品的元素、比例（重量比或原子比）、規格，我們會盡快為您報價??！ 
服務項目：靶材成份比例、規格、純度均可按需定制。科研單位貨到付款，質量保證，售后無憂！
產品附件：發貨時產品附帶裝箱單/質檢單/產品為真空包裝
適用儀器：多種型號磁控濺射、熱蒸發、電子束蒸發設備 
質量控制：嚴格控制生產工藝，采用輝光放電質譜法GDMS或ICP光譜法等多種檢測手段，分析雜質元素含量保證材料的高純度與細小晶粒度；可提供質檢報告。 
加工流程：熔煉→提純→鍛造→機加工→檢測→包裝出庫
        陶瓷化合物靶材本身質脆且導熱性差，連續長時間濺射易發生靶裂情況，綁定背靶后，可提高化合物靶材的導熱性能，提高靶材的使用壽命。我們強烈建議您，選購陶瓷化合物靶材一定要綁定銅背靶！
       我公司采用高純銦作為焊料，銦焊厚度約為0.2mm，高純無氧銅作為背靶。
       注意：高純銦的熔點約為156℃，靶材工作溫度超過熔點會導致銦熔化！綁定背靶不影響靶材的正常使用！
       建議：陶瓷脆性靶材、燒結靶材，高功率下濺射易碎，建議濺射功率不超過3W/cm2。